简介

 

原子层沉积 (Atomic Layer Deposition) 是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。随着芯片节点尺寸的不断缩小，传统沉积技术已达到其极限，在纳米级上沉积超薄层需要原子层沉积 (ALD) 技术，该技术可使材料一次沉积一个原子层。FITOK ALD 系列原子层沉积隔膜阀可应用于原子层沉积工艺，在半导体芯片制造的沉积工艺中输送精确剂量的气体，以实现先进技术所需的均匀气体沉积。

特征

 

• 高速执行下超高循环寿命
• 响应速度快，可在低于 5 ms 内完成阀门开启和关闭
• 耐热型延长热应用场合的执行器寿命
• 全封闭阀座设计，具有优越的抗膨胀和防污染能力
• Elgiloy 合金隔膜提高强度和耐腐蚀，使用寿命长
• 高纯级 PFA 阀座，广泛的化学兼容性
• 极少产生颗粒和死区，易吹扫
• 提供带电感式传感器、电磁阀组件及加热棒和热电偶安装孔的阀门

技术参数

 

应用

 

适用于以下半导体领域的原子层沉积 (ALD)工艺

• 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）
• 微电子机械系统（MEMS）
• 光电子材料和器件
• 集成电路互连线扩散阻挡层
• 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）
• 光学元件
• 太阳能电池
• 各类薄膜（<100 nm）

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