半导体应用-FITOK ALD 系列原子层沉积隔膜阀

03/26/2021
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原子层沉积,ALD系列

 

概述

 

 

原子层沉积 (Atomic Layer Deposition) 是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。随着芯片节点尺寸的不断缩小,传统沉积技术已达到其极限,在纳米级上沉积超薄层需要原子层沉积 (ALD) 技术,该技术可使材料一次沉积一个原子层。FITOK ALD 系列原子层沉积隔膜阀可应用于原子层沉积工艺,在半导体芯片制造的沉积工艺中输送精确剂量的气体,以实现先进技术所需的均匀气体沉积。

 

特征

 

 

  • 高速执行下超高循环寿命
  • 响应速度快,可在低于 5 ms 内完成阀门开启和关闭
  • 耐热型延长热应用场合的执行器寿命
  • 全封闭阀座设计,具有优越的抗膨胀和防污染能力
  • Elgiloy 合金隔膜提高强度和耐腐蚀,使用寿命长
  • 高纯级 PFA 阀座,广泛的化学兼容性
  • 极少产生颗粒和死区,易吹扫
  • 提供带电感式传感器、电磁阀组件及加热棒和热电偶安装孔的阀门

 

技术参数

 

 

 

应用

 

 

适用于以下半导体领域的原子层沉积 (ALD)工艺

  • 晶体管栅极介电层(high-k)和金属栅电极(metal gate)
  • 微电子机械系统(MEMS)
  • 光电子材料和器件
  • 集成电路互连线扩散阻挡层
  • 平板显示器(有机光发射二极管材料,OLED)
  • 光学元件
  • 太阳能电池
  • 各类薄膜(<100 nm)

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